Samsung beginnt mit der Produktion von 3D-DDR4-DRAM-Modulen

Die 64 GB Kapazität ist die größte für DRAM-Module, was die Anwendungsleistung verbessern wird weil Daten länger im Speicher gehalten werden, so dass Bits nicht so oft zwischen DRAM und anderen Komponenten wie Speicher übertragen werden müssen.

Speicherchips werden derzeit horizontal auf DIMMs platziert, ein technischer Begriff für Speichermodule, die an Motherboards angeschlossen sind . Da Speicherchips jedoch immer kleiner werden, bietet die vertikale Stapelung die Möglichkeit, den verfügbaren Platz auf DIMMs besser zu nutzen. Dies ist der Ansatz von Samsung.

DDR4 wird nach und nach bestehende DDR3-DRAMs in Servern und Spielecomputern ersetzen ab dem nächsten Quartal. DDR4 bietet 50 Prozent mehr Speicherbandbreite und 35 Prozent mehr Energieeinsparung als DDR3. Intel wird Anfang September einen DDR4-kompatiblen Chip namens Grantley veröffentlichen, der von Lenovo und Dell auf Servern verwendet wird.

Anwendungen, die in Rechenzentren verwendet werden, werden besonders vom neuen Samsung-Speicher profitieren, sagte Nathan Brookwood, Principal Analyst bei Insight 64. Datenbank- und Analyseanwendungen, einschließlich der von Oracle und SAP, speichern Daten im Speicher, um die Anwendungsleistung zu steigern.

"Es wird immer schwieriger, die Dichte von DRAM-Chips zu erhöhen. Stacking ist eine gute Möglichkeit, die bestehende DRAM-Chiptechnologie zu nutzen und doppelt so viele Bits in einem Paket zu produzieren ", sagte Brookwood.

Die Speicherchips in einem Stapel sind über einen sogenannten TSV verbunden, der als Durchsatzmechanismus für neuere Speichertechnologien. TSV wird bereits in der aufkommenden HMC (Hybrid Memory Cube) -Technologie von Micron verwendet und wird in den kommenden Jahren von Nvidia in seinen Grafikchips verwendet.

Die Speicherchips von Samsung werden im fortschrittlichen 20-Nanometer-Fertigungsprozess hergestellt . Speicherhersteller wie Crucial und Adata liefern auch DDR4-DIMMs, jedoch mit geringerer Kapazität.